时间：2025/12/26 22:55:27
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L4004D8RP是一款由Lite-On（光宝科技）生产的表面贴装红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED），广泛应用于需要红外信号发射的电子设备中。该器件采用高效率的砷化镓（GaAs）材料制成，能够在低驱动电流下提供稳定的红外光输出，适用于遥控、光电传感、数据传输等场景。L4004D8RP的封装形式为SMD（表面贴装器件），具体封装尺寸紧凑，便于自动化贴片生产，适合高密度PCB布局。其发射波长典型值位于850nm左右，处于近红外区域，与大多数硅基光电探测器具有良好的光谱匹配性，确保了高效的光电接收性能。该器件具备良好的方向性和较高的辐射强度，能够在较远距离实现可靠的信号传输。此外，L4004D8RP具有较高的可靠性与稳定性，能够在宽温度范围内正常工作，适合工业、消费类及汽车电子等多种应用环境。
类型：红外发射二极管
封装类型：SMD
波长：850nm
正向电压：1.2V
反向电压：5V
正向电流：100mA
功率耗散：150mW
工作温度范围：-40°C ~ +100°C
存储温度范围：-40°C ~ +100°C
视角：±20°
峰值辐射强度：50mW/sr
封装尺寸：3.2mm x 2.6mm x 2.1mm
L4004D8RP红外发射二极管在性能和可靠性方面表现出色，其核心优势之一是采用了高亮度GaAs红外芯片技术，能够在较低的正向电流（如20mA至100mA）条件下实现高强度的红外光输出。这种高效能设计不仅降低了系统功耗，还减少了热积累，提升了长期运行的稳定性。该器件的发射波长为850nm，属于近红外光谱范围，肉眼不可见，但可被标准硅基光电二极管或光电晶体管高效检测，因此非常适合用于红外遥控器、红外数据通信链路以及光电开关等应用。
该器件的封装结构经过优化，具有良好的散热性能和机械强度，能够承受回流焊工艺中的高温冲击，确保SMT生产过程中的良率。其±20°的视角设计提供了适中的光束集中度，在保证足够覆盖范围的同时避免了过度发散导致的信号干扰。此外，L4004D8RP具备出色的环境耐受能力，可在-40°C至+100°C的宽温范围内稳定工作，适用于室内外多种复杂工况。器件的反向电压耐受能力为5V，配合适当的限流电阻使用，可有效防止电路异常时的损坏。
在可靠性方面，L4004D8RP通过了严格的工业级测试，包括高温高湿储存、温度循环、静电放电（ESD）防护等，确保其在长时间运行中保持光输出衰减最小。其平均寿命长达10万小时以上，适合需要长期免维护运行的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色制造和可持续发展。由于其标准化封装和电气特性，L4004D8RP易于替换和升级，兼容多种现有设计平台。
L4004D8RP广泛应用于各类需要红外发射功能的电子系统中。典型应用场景包括电视、空调、音响等家用电器的红外遥控器发射端，作为主要的光信号源，实现用户指令的无线传输。此外，该器件也常用于红外数据通信模块，如IrDA短距离通信接口，支持设备间的非接触式信息交换。在工业自动化领域，L4004D8RP可用于光电传感器中的发射部分，配合接收器构成对射式或反射式检测系统，用于物体检测、计数、位置感应等功能。安防系统中的红外照明补光、门禁控制系统中的身份识别信号发射，以及智能楼宇中的 occupancy sensing（存在感应）系统，也是其重要应用方向。由于其小型化和高可靠性，该器件还适用于便携式电子设备和车载电子系统中的红外感应模块。
TSAL6100
IR26A-H
LD271-A
L-53F3BT
