型号：L3E07111K0A
　　制造商：Murata
　　电容值：110pF
　　容差：±10%
　　额定电压：100V DC
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　封装尺寸（英制）：0603
　　封装尺寸（公制）：1608
　　层数结构：多层陶瓷
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200 qualified

L3E07111K0A采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成多个并联的微型电容器结构，从而在小体积下实现稳定的电容性能。其使用的X7R型电介质是一种钡钛酸盐基材料，具备优异的温度稳定性和时间稳定性，即使在极端温度条件下也能维持电容值的相对恒定，适用于对参数漂移敏感的应用场景。该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频信号路径中表现出良好的去耦和旁路能力，能有效抑制电源噪声和电磁干扰。由于其0603小型化封装，L3E07111K0A非常适合用于空间受限的高密度印刷电路板设计，如移动通信模块、便携式电子设备和车载控制单元。产品的端电极采用双层金属化结构，底层为镍阻挡层，外层为可焊性良好的锡层，不仅增强了抗机械应力和热循环的能力，还确保了回流焊过程中的可靠连接。此外，该器件经过严格的筛选和老化测试，具备出色的抗湿性、抗裂性和长期可靠性，尤其适合振动频繁或温差剧烈的工作环境。L3E07111K0A还具备较强的耐电压冲击能力，在瞬态过压情况下仍能保持功能完整性，提升了系统的整体安全性。
　　值得一提的是，该型号通过了AEC-Q200车规级认证，表明其在寿命、温度循环、湿度加载、机械强度等方面均满足汽车行业严苛的标准要求，可用于发动机控制单元（ECU）、传感器接口、车载信息娱乐系统等关键部件。同时，产品生产过程遵循ISO/TS 16949质量管理体系，确保批次一致性与高良率。在电气特性方面，X7R介质虽然不具有C0G/NP0级别的超高精度，但其在成本、体积与性能之间实现了良好平衡，是众多中等精度模拟电路和数字电源去耦方案的理想选择。村田独有的材料配方和精密叠层技术进一步提升了该电容的可靠性与一致性，使其在全球范围内被广泛采用。

L3E07111K0A因其高可靠性、良好的温度稳定性和适中的电容值，广泛应用于多种电子系统中。在汽车电子领域，它常用于发动机控制单元（ECU）、车身电子模块、ADAS传感器供电滤波、车载通信模块（如CAN、LIN总线）的信号耦合与去耦电路中，保障复杂电磁环境下信号的完整性。在工业控制系统中，该电容器可用于PLC输入输出模块、电机驱动器的电源稳压电路以及工业传感器的信号调理部分，提供稳定的旁路支持。在消费类电子产品中，L3E07111K0A常见于智能手机、平板电脑和无线路由器的射频前端模块，用于偏置电压滤波和阻抗匹配网络。此外，在医疗设备、测试测量仪器和电信基础设施（如基站射频板卡）中，该器件也发挥着重要作用，特别是在需要长期稳定运行且不易维护的场合。由于其100V额定电压高于常规5V或3.3V逻辑系统的需求，因此特别适合用于跨电源域隔离、高压偏置电路或存在电压波动风险的环境中。在开关电源（SMPS）设计中，它可以作为次级侧反馈回路的滤波元件，帮助提高调节精度和响应速度。同时，得益于其低ESR和小尺寸特性，L3E07111K0A也被广泛用于高速数字IC（如FPGA、ASIC）的局部去耦网络，以降低电源轨道上的高频噪声，提升系统稳定性与抗干扰能力。

[
　　 "GRM188R71H111KA01D",
　　 "CL21B111KBANNNC",
　　 "C1608X7R1H111K"
　　]