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HY5DU5162ETR-E3C 发布时间 时间:2025/9/1 16:37:38 查看 阅读:5

HY5DU5162ETR-E3C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM产品系列,适用于需要大容量内存和高速数据访问的电子设备。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的功耗和较高的稳定性,适合工业级和消费级应用。HY5DU5162ETR-E3C的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在各种电路板上安装和使用。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:异步

特性

HY5DU5162ETR-E3C是一款高性能的DRAM芯片,采用了先进的CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持异步操作,适用于需要快速数据存取的应用场景。其TSOP封装形式有助于降低封装高度,适合空间受限的设计。此外,该芯片具有宽工作温度范围,能够在严苛的环境条件下稳定运行。HY5DU5162ETR-E3C还具备良好的电气性能和热稳定性,确保了数据传输的可靠性和系统的稳定性。该芯片广泛应用于通信设备、嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品中。

应用

HY5DU5162ETR-E3C主要应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。典型应用包括网络路由器、交换机、工业控制器、视频采集设备、医疗成像设备以及高端消费电子产品。由于其低功耗和高稳定性,该芯片也适用于对可靠性要求较高的工业和通信领域。

替代型号

IS61LV25616-5T, CY62148E, AS6C4008-55PCN-BL

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