时间：2025/6/28 13:24:18
阅读：8
GA0402H561MXAAC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低系统能耗并提高整体性能。
这款MOSFET属于N沟道增强型，其封装形式为行业标准的DFN5*6封装，具备出色的散热性能和可靠性。适用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品中的多种场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：1980pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常条件下的稳定性。
4. 符合AEC-Q101标准，确保在严苛环境下可靠运行。
5. 绿色环保设计，无铅且符合RoHS要求。
6. 小尺寸DFN封装，便于PCB布局同时节省空间。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC转换器的核心功率元件
3. 汽车电子中的电机驱动和负载控制
4. 工业设备中的逆变器与变频器
5. 消费类电子产品的负载开关和保护电路
IRF7842TRPBF
FDP15N40Z
STP28NF06L
