型号：L3E06200P0B
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID@25°C：46A
　　连续漏极电流ID@100°C：30A
　　脉冲漏极电流IDM：180A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)@VGS=10V：典型值2.0mΩ，最大值2.4mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：典型值2.7mΩ，最大值3.3mΩ
　　栅极电荷Qg@10V：典型值35nC
　　输入电容Ciss：典型值2350pF
　　输出电容Coss：典型值450pF
　　反向恢复时间trr：典型值35ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 3.3x3.3

L3E06200P0B具备卓越的导通与开关性能，是高性能电源系统中理想的功率开关器件。其核心优势之一在于极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为2.0mΩ，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。这使得它特别适用于大电流、低电压输出的应用场景，如服务器电源、笔记本电脑适配器及POL（Point-of-Load）转换器。此外，即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)仍保持在较低水平（典型值2.7mΩ），支持宽范围的驱动条件，兼容多种控制器输出逻辑。
　　该器件采用ST先进的沟槽栅硅工艺，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积下的电流承载能力。同时，其低栅极电荷（Qg典型值35nC）和输入电容（Ciss典型值2350pF）有效减少了驱动功耗和开关延迟，从而提升高频工作的效率。反向恢复时间短（trr典型值35ns），配合体二极管的良好特性，有助于降低桥式电路中的交叉导通风险，提高系统稳定性。
　　PowerFLAT 3.3x3.3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过底部裸露焊盘实现高效的热传导，可直接连接至散热平面，极大改善热管理性能。该器件支持无铅焊接工艺，符合AEC-Q101可靠性标准，具备高抗湿性和长期工作稳定性。内置的静电保护结构也增强了器件在装配和运行过程中的鲁棒性。

L3E06200P0B主要应用于高效DC-DC降压转换器、同步整流电源模块、电池供电设备的功率开关、电机驱动电路、LED驱动电源以及工业控制系统的电源管理部分。此外，也适用于电信设备、网络路由器和便携式电子产品的电源架构中，尤其适合需要高电流密度和低热耗散的设计场景。

STL3E06200P0B