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NAND128W3A2BN6F 发布时间 时间：2023/4/13 11:19:46 查看 阅读：438

NAND128W3A2BN6F技术参数

目录

概述

制造商：STMicroelectronics

产品种类：闪存

数据总线宽度：8 bit

存储类型：NAND Flash

存储容量：128 Mbit

结构：Sectored

封装 / 箱体：TSOP

定时类型：Asynchronous

接口类型：Parallel

访问时间：12000 ns

电源电压（最大值）：3.6 V

电源电压（最小值）：2.7 V

最大工作电流：20 mA

最大工作温度：+ 85℃

最小工作温度：- 40℃

封装：Reel

组织：16K B x 1024

资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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NAND128W3A2BN6F参数

  • 标准包装1,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - NAND
  • 存储容量128M（16M x 8）
  • 速度-
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 供应商设备封装48-TSOP（12x20）
  • 包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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