制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：nvSRAM
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　组织结构：128K × 8
　　接口类型：并行，异步
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOIC
　　访问时间：最大 85ns
　　读写周期时间：最小 100ns
　　待机电流：典型值 10 μA（CMOS 待机模式）
　　工作电流：典型值 70 mA（f = 1 MHz）
　　非易失性写入耐久性：无限次（基于QTOX技术）
　　数据保持时间：典型值 20 年（在 +85°C 环境下）
　　非易失性存储触发方式：AutoStore、Hardware Store、Software Store
　　掉电数据保存时间：需外接超级电容或钽电容提供能量
　　数据轮询检测：支持软件识别存储操作完成状态

CY14V101QS-SE108XIT 的核心特性之一是其基于量子隧道氧化物（QTOX）技术的无限次非易失性写入能力。传统EEPROM或Flash通常限制在10万至100万次擦写寿命，而QTOX技术通过在存储单元中引入极薄的高质量氧化层，利用量子隧穿效应实现电荷的注入与释放，从而避免了传统浮栅结构中的物理磨损问题，实现了真正意义上的“无限”写入寿命。这一特性使得该器件特别适用于需要频繁记录实时数据的应用，如工业PLC控制器中的过程日志、通信设备中的配置快照、医疗设备中的患者监测数据等。
　　其次，该芯片支持多种非易失性存储触发机制。AutoStore功能允许器件在检测到VCC下降至预设阈值时自动将SRAM内容保存到非易失性存储区，整个过程无需CPU干预，响应速度快且可靠性高；Hardware Store则通过激活特定引脚（如HOLD或STORE）手动触发存储操作，适用于系统主动控制数据保存时机的场景；Software Store通过执行特定的地址序列指令来启动存储过程，提供了更高的灵活性和控制精度。这三种模式可根据实际应用需求灵活选择或组合使用。
　　此外，CY14V101QS-SE108XIT 具备卓越的数据保持能力和环境适应性。即使在高温（+85°C）环境下，非易失性数据仍可保持长达20年，确保长期数据安全。其内置的上电/掉电复位电路（Power-On Reset, POR）和电压监控模块能实时监测供电状态，在电源不稳定或突然断电时及时启动保护机制，防止数据写入中断导致的损坏。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，并具有良好的抗辐射和抗电磁干扰性能，适用于严苛工业环境下的稳定运行。

CY14V101QS-SE108XIT 广泛应用于对数据可靠性、实时性和持久性有严格要求的领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、DCS（分布式控制系统）和运动控制器中，用于保存实时运行参数、故障日志和校准数据，确保在意外断电后系统重启时能迅速恢复至断电前状态，提升生产连续性和安全性。在通信基础设施中，该器件可用于基站、路由器和交换机设备中，存储配置信息、路由表快照和操作日志，保障网络设备在电源故障后快速重建配置，减少服务中断时间。
　　在汽车电子领域，尽管该型号主要面向工业级应用，但仍可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）控制器或车载网关模块中，用于存储车辆设置、传感器校准数据或事件记录，尤其适用于需要频繁更新且断电不丢失的场景。在医疗设备方面，如监护仪、输液泵和便携式诊断设备，该芯片可用于保存患者治疗参数、设备运行记录和自检结果，满足医疗行业对数据完整性的高标准要求。
　　此外，在航空航天与国防系统中，由于其高可靠性、宽温工作能力和抗干扰特性，CY14V101QS-SE108XIT 可用于飞行控制系统、雷达信号处理单元和战术通信设备中，作为关键数据的临时缓存与永久存储介质。其无需电池备份的设计也减少了维护成本和安全隐患，特别适合部署在难以维护或密封性要求高的设备中。

CY14V101QA-45NSXIT
　　CY14V101QS-45BAXI
　　CY14MB101QA-SX