时间：2025/7/1 21:14:25
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L2SK801LT1G是一款N沟道MOSFET晶体管，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换和开关应用场合。其工作电压范围较广，能够满足大部分工业及消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：94A
导通电阻：1.7mΩ
总栅极电荷：53nC
开关时间：开启时间11ns，关断时间19ns
L2SK801LT1G的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中具有很高的效率，并能有效降低功率损耗。此外，其快速的开关特性非常适合高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。
由于采用了先进的制造工艺，该器件能够在高温环境下保持稳定性能，同时具备良好的热管理能力。其TO-263封装也方便了电路板上的安装与散热设计。
L2SK801LT1G广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制中的功率开关
6. 消费类电子产品中的负载切换
L2SK801LT1G-A, L2SK801LT1G-B
