IRFS7537TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等。此型号采用了PQFN5x6封装,能够有效减小PCB空间占用并提升散热性能。
这款MOSFET的设计目标是满足现代电子设备对高效能和小型化的需求,其出色的电气特性和热性能使其成为高频开关应用的理想选择。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):49A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):28nC
输入电容(Ciss):2300pF
开关频率范围:高达500kHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
IRFS7537TRLPBF具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高效率。
2. 高额定电流能力(49A),可支持大功率应用。
3. 小尺寸PQFN5x6封装,节省PCB面积。
4. 快速开关特性,适合高频应用。
5. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
6. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
7. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制。
5. 各类工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 通信电源和消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
IRF7737TRPBF, AO4402A