您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LMBD770T1G

LMBD770T1G 发布时间 时间:2025/8/13 5:51:28 查看 阅读:25

LMBD770T1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型SOD-123表面贴装封装。该器件以其快速开关特性和低正向压降著称,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计,广泛应用于电源管理、整流电路、DC/DC转换器以及电池供电设备等领域。

参数

类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
  最大正向平均电流(IF(AV)):200mA
  最大正向压降(VF):0.375V @ 100mA
  最大反向漏电流(IR):100μA @ 30V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123

特性

LMBD770T1G 肖特基二极管具备多项优异特性,适用于高效率电源管理应用。其主要特性包括:
  1. **低正向压降**:LMBD770T1G 在 100mA 正向电流下的正向压降最大仅为 0.375V,显著降低了导通损耗,提高了整流效率。
  2. **高速开关性能**:由于肖特基二极管的结构特性,LMBD770T1G 具有极短的反向恢复时间(trr),适用于高频开关电路,有助于提高转换效率并减小外部元件尺寸。
  3. **小尺寸封装**:采用 SOD-123 表面贴装封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用,同时支持自动化贴片工艺。
  4. **宽工作温度范围**:可在 -55°C 至 +150°C 的极端温度条件下稳定工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
  5. **高可靠性**:该器件具有良好的热稳定性和机械强度,确保在长期运行中的高可靠性。
  6. **低反向漏电流**:在最大反向电压下漏电流仅为 100μA,保证了在高温和高压条件下的稳定性能。

应用

LMBD770T1G 因其高效能和小尺寸特性,广泛应用于多种电子系统中,典型应用包括:
  1. **便携式电子产品**:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和电池充电电路。
  2. **DC/DC 转换器**:用于升压或降压电路中,提高转换效率并减小电感器尺寸。
  3. **极性保护电路**:在电源输入端防止反向电压损坏后级电路。
  4. **整流电路**:适用于低电压、中等电流的整流场合,如 AC-DC 适配器和太阳能充电系统。
  5. **信号整流与隔离**:用于 RF 和模拟信号路径中,提供高速整流和信号隔离功能。
  6. **汽车电子系统**:如车载充电器、LED 照明驱动和车载信息娱乐系统的电源模块。

替代型号

MBR0530T1G, BAT54A, BAS40-04, 1N5819W

LMBD770T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价