L2SC3838LT1G 时间：2025/4/28 20:25:02 阅读：1

L2SC3838LT1G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOLL封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种高效率电源管理应用。
　　这款MOSFET特别适合用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等领域。其卓越的热性能和电气特性使其成为高功率密度设计的理想选择。

参数

型号：L2SC3838LT1G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TOLL
　　漏源极击穿电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：164A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：78nC
　　输入电容（Ciss）：3985pF
　　总功耗（Ptot）：234W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

L2SC3838LT1G具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
　　2. 高额定电流（164A），支持大功率应用。
　　3. 较小的封装尺寸（TOLL），有助于节省PCB空间。
　　4. 出色的热性能，能够在高功率密度下保持稳定运行。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应各种恶劣环境条件。
　　6. 快速开关速度，降低开关损耗并提升动态性能。
　　7. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。

应用

L2SC3838LT1G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
　　4. 负载开关应用中实现高效的电流控制。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
　　6. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　7. 汽车电子系统中的大电流开关应用。