时间：2025/5/22 13:36:42
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L2SC1623SLT1G 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高电压、大电流应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性，可显著提升效率并降低功耗。广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
型号：L2SC1623SLT1G
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：2.3mΩ
栅极电荷：35nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到壳）：1.4℃/W
L2SC1623SLT1G 具备出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻能够减少导通损耗，而较低的栅极电荷则有助于实现更高的开关频率。此外，该器件支持较宽的工作温度范围，适合在恶劣环境下使用。
该芯片还拥有较高的电流承载能力，确保了系统运行时的稳定性。同时，TO-263 封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装于 PCB 上，非常适合需要紧凑设计的应用场景。
L2SC1623SLT1G 广泛用于各种高效率功率转换电路中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机控制器、逆变器以及 UPS 系统等。它也常被用作负载开关或保护电路中的关键组件，以提供过流保护和短路保护等功能。
凭借其卓越的性能，L2SC1623SLT1G 在消费电子、汽车电子及工业自动化领域均得到了广泛应用。
L2SC1622SLT1G, L2SC1624SLT1G
