L2SC1623SLT1G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于高电压、大电流应用场合,具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提升效率并降低功耗。广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
型号:L2SC1623SLT1G
封装:TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻(典型值):2.3mΩ
栅极电荷:35nC
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(结到壳):1.4℃/W
L2SC1623SLT1G 具备出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻能够减少导通损耗,而较低的栅极电荷则有助于实现更高的开关频率。此外,该器件支持较宽的工作温度范围,适合在恶劣环境下使用。
该芯片还拥有较高的电流承载能力,确保了系统运行时的稳定性。同时,TO-263 封装形式提供了良好的散热性能,并且易于安装于 PCB 上,非常适合需要紧凑设计的应用场景。
L2SC1623SLT1G 广泛用于各种高效率功率转换电路中,包括但不限于 DC-DC 转换器、电机控制器、逆变器以及 UPS 系统等。它也常被用作负载开关或保护电路中的关键组件,以提供过流保护和短路保护等功能。
凭借其卓越的性能,L2SC1623SLT1G 在消费电子、汽车电子及工业自动化领域均得到了广泛应用。
L2SC1622SLT1G, L2SC1624SLT1G