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PFF13N50 发布时间 时间:2025/8/7 14:23:46 查看 阅读:25

PFF13N50是一种功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制等高效率功率系统。PFF13N50采用TO-220或DPAK等常见封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):13A
  漏极-源极击穿电压(VDS):500V
  栅极-源极电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.45Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220、DPAK等

特性

PFF13N50具备多项优异的电气和物理特性。其N沟道结构设计使其在高电压和高电流条件下仍能保持良好的导通性能。低导通电阻(RDS(on))减少了导通损耗,提高了系统的整体效率。
  此外,PFF13N50的高栅极阈值电压确保了良好的抗干扰能力,使其在复杂电磁环境中仍能稳定运行。器件的快速开关特性降低了开关损耗,使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
  在热管理方面,PFF13N50采用了高效的散热设计,能够在高功率工作条件下维持较低的结温,延长器件的使用寿命并提高可靠性。
  最后,PFF13N50具有良好的短路耐受能力,能够在突发负载变化的情况下保持稳定运行,防止器件损坏。

应用

PFF13N50广泛应用于各类功率电子设备中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动器、电池充电器、电机控制电路、逆变器以及各种工业自动化控制系统。此外,它也可用于家用电器、汽车电子和照明系统中的功率管理模块。

替代型号

FQA13N50、IRFBC40、SPW20N50、STP12NM50ND

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