您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFY8N65X2

IXFY8N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 2:32:25 查看 阅读:15

IXFY8N65X2是一款高压高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由IXYS公司生产。这款器件专为高性能电源转换和功率管理应用设计,适用于需要高耐压、低导通电阻和快速开关特性的场景。IXFY8N65X2采用TO-247封装,具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):8A
  漏极-栅极击穿电压(Vdg):650V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.85Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFY8N65X2具备多项优异特性,使其在多种电源应用中表现出色。首先,其高耐压能力(650V)使其非常适合用于高压电源转换系统,如AC/DC电源适配器、离线式电源和工业电源设备。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关特性,能够适应高频开关操作,从而减少外部元件的尺寸并提高整体系统的功率密度。在热性能方面,TO-247封装提供良好的散热能力,确保在高功率负载下稳定运行。IXFY8N65X2还具备较高的耐用性和可靠性,适用于恶劣工作环境,例如高温或高湿度条件下的工业应用。最后,该器件具有良好的抗雪崩能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,增强系统的稳定性与安全性。
  此外,IXFY8N65X2的栅极驱动特性较为温和,适用于标准的栅极驱动电路,便于设计和集成到现有系统中。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动损耗,提高开关效率。综合这些特性,IXFY8N65X2是一款适用于多种高压功率转换场景的高性能MOSFET。

应用

IXFY8N65X2广泛应用于各种高压和中高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、AC/DC电源适配器、LED照明驱动电源、电动工具和工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也可用于电池充电器、UPS(不间断电源)系统、太阳能逆变器以及电机控制电路中。在需要高效、高可靠性的电源转换场合,IXFY8N65X2都是一个理想的选择。

替代型号

IXFY8N65X2的替代型号包括STMicroelectronics的STW8NK65Z、Infineon Technologies的IPP65R190E6、以及ON Semiconductor的NCP81045。这些器件在性能参数和应用领域上与IXFY8N65X2相近,可根据具体设计需求进行选择。

IXFY8N65X2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFY8N65X2参数

  • 现有数量0现货3,990Factory
  • 价格1 : ¥26.31000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)450 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)790 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63