TYN608RG是一种高压超结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高功率密度场景。该器件采用了先进的超结技术,具备低导通电阻和高开关速度的特性,从而显著提高了效率并降低了功耗。
超结MOSFET通过优化电荷平衡设计,突破了传统硅MOSFET的性能限制,使得其在高频应用中表现优异。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:1.35Ω
栅极电荷:28nC
总电容:1750pF
最大工作结温:175°C
封装类型:TO-220
1. 超结技术的应用使TYN608RG具有更低的导通电阻,从而减少了导通损耗。
2. 高速开关能力使其适合高频开关电源和其他高频应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电荷,进一步优化了动态性能。
4. 提供了出色的热稳定性和可靠性,能够适应极端温度环境。
5. 封装形式为TO-220,便于安装和散热设计。
6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 工业逆变器
4. 太阳能微逆变器
5. LED照明驱动电路
6. 各类高电压转换系统
7. PFC(功率因数校正)电路
IPW60R140C6
FCH06N80
IRFB4110TRPBF