B104S T/R 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等电子电路中。该器件采用小型表面贴装封装(通常为 SC-70 或 SOT-23 等形式),具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和快速开关性能等特点,适合在中低功率应用中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):100mA(@25°C)
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻 Rds(on):约 5.5Ω(@Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):约 1.8nC
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOT-23、SC-70(具体以数据手册为准)
B104S T/R 作为一款高性能功率 MOSFET,具备多项显著的技术特性。首先,其低导通电阻 Rds(on) 使得在导通状态下产生的功耗较低,从而提高了系统的整体效率,并减少了散热需求。其次,该器件具备较高的开关速度,能够适应高频开关应用,如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路,从而有助于减小外围元件的尺寸并提升响应速度。
此外,B104S T/R 采用小型表面贴装封装,便于在紧凑型 PCB 设计中使用,适用于自动化装配流程。其高栅极击穿电压(±20V)提供了良好的抗过压能力,提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性与可靠性。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和耐久性,能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用场景。其栅极电荷较低(约 1.8nC),进一步提升了开关效率,降低了驱动损耗。
综上所述,B104S T/R 凭借其低导通电阻、高速开关特性、小型封装和高可靠性,成为众多中低功率电子系统中不可或缺的关键元件。
B104S T/R MOSFET 主要应用于以下几个领域:
1. **电源管理电路**:用于 DC-DC 转换器、电压调节器、电池管理系统中,作为开关元件实现高效的能量转换。
2. **负载开关控制**:在便携式设备中用于控制不同功能模块的供电,实现节能和热插拔保护。
3. **马达驱动和继电器替代**:在小型马达控制、电磁阀、继电器替代方案中作为电子开关使用,提升响应速度和寿命。
4. **LED 驱动与照明控制**:用于 LED 灯具的调光和开关控制电路中,支持 PWM 调光方式。
5. **工业自动化与汽车电子**:在工业控制模块、传感器接口、车载电子系统中作为高效开关元件,满足宽温工作需求。
2N7002、BS170、FDS6680、Si2302DS、AO3400A