类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：300mA
　　功耗(PD)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C

L2N7002T1G MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，它的漏源电压（VDS）为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低压应用场景。其次，该器件的最大连续漏极电流为300mA，足以驱动小型负载或进行信号切换。
　　其栅源电压（VGS）范围为±20V，提供了较大的控制灵活性，同时具备良好的栅极保护能力。器件的功耗为300mW，在SOT-23封装下具有较好的热性能，适合在空间受限的设计中使用。此外，L2N7002T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级温度环境，确保了在严苛条件下的可靠性。
　　该MOSFET的开关特性也非常出色，具有快速的导通和关断时间，适用于高频开关操作。同时，其导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率。L2N7002T1G还具备较强的抗静电能力，能够在制造和使用过程中提供更好的保护。

L2N7002T1G MOSFET主要应用于低功率开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、电池供电设备、便携式电子产品以及微控制器外围电路等场合。在数字电路中，它常用于将低电压信号（如3.3V或5V）控制较高电压负载（如12V LED灯）的场景。此外，该器件也适用于模拟开关、信号路由、电源管理及传感器接口等应用。由于其封装小巧且性能稳定，L2N7002T1G非常适合用于需要高密度PCB布局的设计中。

2N7002, BSS138, FDN337N, 2N7002K, NDS7002A