时间：2025/7/11 14:48:45
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MA0402CG8R0B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效功率转换应用设计。该器件采用了先进的 0.4μm GaN 工艺，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于电信、工业电源、新能源汽车充电设备等领域。其封装形式为表面贴装，适合自动化生产和高密度电路板布局。
型号：MA0402CG8R0B250
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ
击穿电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：10A
栅极-源极电压（Vgs）：±8V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
MA0402CG8R0B250 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (25mΩ)，可有效降低功率损耗。
2. 快速开关速度，支持高达 2MHz 的开关频率，减少磁性元件体积并提高效率。
3. 高耐压能力（650V），适用于宽输入电压范围的应用场景。
4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动汽车充电桩
4. 太阳能逆变器
5. 通信基站电源
6. 工业电机驱动
由于其高效的性能和耐用性，MA0402CG8R0B250 成为现代电力电子系统中的关键组件。
MA0402CG8R0B300, MA0402CG8R0B200
