时间：2025/8/13 1:16:00
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L2N7002LT1G 是一种常见的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装。该器件适用于多种应用，包括开关电路、负载控制和信号处理。其设计提供了良好的导通电阻和快速的开关性能，适合用于低功率应用。L2N7002LT1G 通常用于需要高效能和小型封装的场合。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：60V
最大漏极电流(ID)：300mA
导通电阻(RDS(on))：5Ω
栅极阈值电压(VGS(th))：1V至3V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
L2N7002LT1G 具有较低的导通电阻，使其在开关应用中表现出色，减少了功率损耗。该器件的快速开关特性使其适用于高频应用，提高了电路的响应速度。此外，L2N7002LT1G 的SOT-23封装设计使其易于集成到各种电路板中，节省空间并提高了电路的可靠性。
这种MOSFET的栅极阈值电压范围为1V至3V，适合多种驱动电路的需求，确保了其在不同应用中的灵活性。L2N7002LT1G 的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在极端环境下正常工作。
L2N7002LT1G 常用于电源管理、电机控制、LED驱动和信号处理电路中。由于其低导通电阻和快速开关特性，L2N7002LT1G 适用于需要高效能的小型电子设备，如便携式设备和电源适配器。
2N7002, 2N7002K, BSS138
