HY27UH088G2M-TPCB是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,属于消费级和工业级应用中常见的存储器件。该芯片的存储容量为8GB,采用8位并行接口(x8),适用于需要大容量非易失性存储的设备,如嵌入式系统、便携式电子产品、固态硬盘(SSD)和多媒体设备等。这款NAND闪存支持高密度存储技术,并具备较高的读写速度和较长的使用寿命,适合中高端应用场景。
容量:8GB
接口类型:8位并行(x8)
电压范围:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP
页面大小:4KB
块大小:128KB
支持ECC校验:是
最大读取速度:50MB/s
最大写入速度:20MB/s
HY27UH088G2M-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片,采用了先进的CMOS工艺制造,具备高速读写能力和低功耗特性。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误,从而提高数据的可靠性。此外,该芯片支持页编程和块擦除操作,适用于多种存储管理算法,如磨损均衡和坏块管理。
其工作电压范围为2.7V至3.6V,具有较强的电压适应能力,适用于多种供电环境。封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于在紧凑的电路板上安装和使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适合工业级应用,能够在较为恶劣的环境下稳定运行。
HY27UH088G2M-TPCB的页面大小为4KB,块大小为128KB,支持较高的读取速度(最大50MB/s)和写入速度(最大20MB/s),满足中高端嵌入式系统的存储需求。此外,该芯片具备较高的耐用性和数据保持能力,适合需要频繁读写的应用场景。
HY27UH088G2M-TPCB广泛应用于各种需要大容量非易失性存储的电子设备中。例如,在嵌入式系统中,该芯片可以作为主存储介质,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在便携式电子产品(如MP3播放器、电子书阅读器和智能穿戴设备)中,HY27UH088G2M-TPCB能够提供可靠的存储解决方案,同时满足低功耗和小尺寸的要求。
此外,该芯片也适用于固态硬盘(SSD)、USB闪存盘和多媒体存储卡等产品。在工业自动化和物联网设备中,HY27UH088G2M-TPCB可以作为数据记录和缓存存储器,支持长时间运行和频繁的数据读写操作。由于其宽温工作范围,该芯片也可用于车载电子系统、安防监控设备和工业控制终端等对环境适应性要求较高的场景。
K9F5608U0C-YCB0, TC58NVG1S3HRAIG, MT29F4G08ABADAWP