时间：2025/9/2 8:15:12
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HY27UH088G2M-TPCB是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，属于消费级和工业级应用中常见的存储器件。该芯片的存储容量为8GB，采用8位并行接口（x8），适用于需要大容量非易失性存储的设备，如嵌入式系统、便携式电子产品、固态硬盘（SSD）和多媒体设备等。这款NAND闪存支持高密度存储技术，并具备较高的读写速度和较长的使用寿命，适合中高端应用场景。
容量：8GB
接口类型：8位并行（x8）
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP
页面大小：4KB
块大小：128KB
支持ECC校验：是
最大读取速度：50MB/s
最大写入速度：20MB/s
HY27UH088G2M-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片，采用了先进的CMOS工艺制造，具备高速读写能力和低功耗特性。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，从而提高数据的可靠性。此外，该芯片支持页编程和块擦除操作，适用于多种存储管理算法，如磨损均衡和坏块管理。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，具有较强的电压适应能力，适用于多种供电环境。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在紧凑的电路板上安装和使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业级应用，能够在较为恶劣的环境下稳定运行。
HY27UH088G2M-TPCB的页面大小为4KB，块大小为128KB，支持较高的读取速度（最大50MB/s）和写入速度（最大20MB/s），满足中高端嵌入式系统的存储需求。此外，该芯片具备较高的耐用性和数据保持能力，适合需要频繁读写的应用场景。
HY27UH088G2M-TPCB广泛应用于各种需要大容量非易失性存储的电子设备中。例如，在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储介质，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在便携式电子产品（如MP3播放器、电子书阅读器和智能穿戴设备）中，HY27UH088G2M-TPCB能够提供可靠的存储解决方案，同时满足低功耗和小尺寸的要求。
此外，该芯片也适用于固态硬盘（SSD）、USB闪存盘和多媒体存储卡等产品。在工业自动化和物联网设备中，HY27UH088G2M-TPCB可以作为数据记录和缓存存储器，支持长时间运行和频繁的数据读写操作。由于其宽温工作范围，该芯片也可用于车载电子系统、安防监控设备和工业控制终端等对环境适应性要求较高的场景。
K9F5608U0C-YCB0, TC58NVG1S3HRAIG, MT29F4G08ABADAWP
