类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　漏极-栅极电压（VDG）：60V
　　源极-栅极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA
　　漏极功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

L2N7002LT1G MOSFET的主要特性包括其低导通电阻（RDS(on)），通常在4.5V栅极驱动下约为5Ω，这使得它在低电压开关应用中非常高效。
　　此外，该器件具有快速的开关速度，典型值为导通时间（ton）约7ns，关断时间（toff）约10ns，使其适用于高频开关电路。
　　L2N7002LT1G的栅极电荷（Qg）较低，仅为约3nC，这意味着它在驱动时所需的能量较小，进一步提高了能效。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高的温度下稳定工作，并具有较高的抗静电能力（ESD）保护，增强了其在实际应用中的可靠性。
　　L2N7002LT1G的封装形式为SOT-23，这种小型封装不仅节省空间，而且便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。

L2N7002LT1G MOSFET主要用于数字电路中的开关应用，例如在微控制器和数字逻辑电路中作为电平转换器或缓冲器。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，它也常用于DC-DC转换器、负载开关和继电器驱动电路。
　　此外，L2N7002LT1G适用于电池供电设备中的电源管理电路，能够在低电压下高效运行，延长电池寿命。
　　在工业自动化和通信设备中，该MOSFET也可用于信号开关和控制电路。
　　其SOT-23封装适合高密度PCB布局，因此在消费类电子产品、汽车电子系统和便携式设备中也有广泛应用。

2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N