容量：2MB
　　接口类型：SPI
　　工作电压：1.7V 至 3.6V
　　最大工作频率：104MHz
　　读取延迟：15ns
　　写入延迟：15ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

ESMI-2IB1765M11-T具备多项显著特性，首先其非易失性意味着即使在断电情况下数据也不会丢失，从而消除了对备用电源或频繁数据刷新的需求。其次，该模块的读写速度非常快，支持高达104MHz的频率，使其能够与高速处理器和控制器无缝集成。此外，该MRAM模块具备无限次写入耐久性，避免了传统NAND闪存的擦写寿命限制，从而提高了系统的可靠性和寿命。
　　在功耗方面，ESMI-2IB1765M11-T在读写操作时的能耗较低，并且在待机模式下功耗极低，适用于对能效敏感的应用。其宽电压范围（1.7V至3.6V）增强了其在不同电源环境下的兼容性，适合多种嵌入式平台和工业控制系统。该模块采用54引脚TSOP封装，便于PCB布局和焊接，符合工业标准封装规范，便于替换和升级。
　　该芯片还具备高抗干扰能力和数据保持能力，在极端温度条件下（-40°C至+85°C）仍能稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等对环境适应性要求高的应用场景。

ESMI-2IB1765M11-T适用于多种高性能和高可靠性要求的系统，包括工业控制与自动化设备、网络和通信基础设施、智能电表和能源管理系统、医疗电子设备、汽车电子系统（如ADAS和车载信息娱乐系统）等。由于其非易失性和高速写入能力，该MRAM模块特别适合需要频繁写入和数据记录的应用，如日志存储、配置数据保存、高速缓存替代和实时数据缓冲等场景。

MR2xH40MR48BCSIA、MR2xH40MR48BCSYA、EM1164-S0WBN-S、EM1164-S0WEN-S