L2N7002KN3T5G 时间：2025/5/26 15:52:02 阅读：23

L2N7002KN3T5G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点。广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景中。
　　该型号属于逻辑电平驱动 MOSFET，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能，非常适合电池供电设备和其他低功耗应用。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大连续漏电流：2.1A
　　最大栅极源极电压：±8V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω（典型值，Vgs=4.5V）
　　栅极电荷：1.6nC（典型值）
　　开关时间：ton=6ns，toff=16ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

L2N7002KN3T5G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗并提高效率。
　　2. 快速开关能力，能够支持高频操作。
　　3. 较低的栅极电荷 Qg，使得驱动电路设计更加简单且高效。
　　4. 支持逻辑电平驱动，兼容常见的 3.3V 和 5V 数字信号源。
　　5. 高度稳定的动态性能和热特性，适用于多种复杂环境下的应用。
　　6. 小型化封装（SOT-23），节省 PCB 空间并适合紧凑型设计。

应用

该器件适用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电池保护电路。
　　4. 电机驱动及负载开关。
　　5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
　　6. 通信设备中的信号切换和功率控制。
　　7. 一般用途的低压、小电流开关或负载驱动。