时间：2025/9/2 21:22:59
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GM71VS18163CLT-6DR是一款由Giantec Semiconductor（巨积半导体）制造的高性能、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步SRAM类型，具有较大的存储容量和较高的数据存取速度，适用于需要快速数据存取和较高可靠性的应用场合。其主要特点包括宽电压范围支持、低待机电流和高速读写能力。
存储容量：256K x 16位
访问时间：6ns
电压范围：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
封装尺寸：54引脚
最大工作频率：166MHz
输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
功耗（典型值）：150mA @ 55MHz
GM71VS18163CLT-6DR是一款专为高性能数据存储和缓存应用设计的SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具有优异的电气性能和稳定性。其256K x 16位的存储结构使其能够存储大量数据，并支持高速数据访问，访问时间低至6ns，确保了快速的读写响应。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），适用于多种电源设计环境，同时具备低待机电流特性，有助于降低系统功耗。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。
该SRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境下的稳定运行。其兼容TTL和CMOS的输入/输出电平设计，使其能够与多种控制器和处理器无缝连接。此外，GM71VS18163CLT-6DR在高速运行时仍能保持较低的功耗，适用于需要长时间运行的嵌入式系统、网络设备和工业控制设备等应用。
该芯片广泛应用于通信设备、网络交换机、路由器、工业控制系统、测试仪器、嵌入式系统以及需要高速缓存和临时数据存储的各种电子设备中。
IS61LV25616-6T、CY7C1041CV33-6ZSXC、IDT71V124SA70PFG、AS7C325616A-6TC、ISSI IS64LV12816A-6TLI
