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DTU40N08 发布时间 时间:2025/7/18 20:01:45 查看 阅读:3

DTU40N08是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和高功率密度的电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适合用于开关电源、电机控制、逆变器和其他电力电子设备。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):80V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):40A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.022Ω
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

DTU40N08的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高整体效率。该器件的高耐压能力使其能够在高电压环境下稳定工作,同时其强大的电流承载能力确保了在大功率应用中的可靠性。此外,该MOSFET具有良好的热性能,能够在高温条件下保持稳定运行,提高了器件的耐用性和寿命。
  DTU40N08采用了先进的封装技术,确保了优异的散热性能和机械稳定性,适用于各种严苛的工作环境。该器件的封装形式通常为TO-252或类似的表面贴装封装,便于在PCB上安装和散热管理。

应用

DTU40N08常用于各种电力电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其高效率和可靠性,该器件也适合用于汽车电子系统和新能源应用,例如电动汽车充电设备和太阳能逆变器。

替代型号

IRF3710, STP40NF08, FDP40N08A

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