时间：2025/4/29 12:35:09
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L2N7002是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率控制应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率的特点，适用于多种电子设备中的功率管理场景。
该器件采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：1.4A
导通电阻(RDS(on))：2.8Ω（典型值，当VGS=4.5V时）
总功耗(PD)：420mW
结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 高雪崩能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，方便自动化生产。
L2N7002广泛应用于各类消费类电子产品及工业设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电池保护电路。
4. 负载开关。
5. 电机驱动控制。
6. 便携式电子设备的功率管理模块。
7. 信号电平转换电路。
AO3400
IRLML6402
FDMQ8209
