L1SS355T1G-A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)。该器件采用先进的硅技术制造,适用于高频率和高效能的整流应用。L1SS355T1G-A 封装在 SOD-123 表面贴装封装中,具有小尺寸、低正向压降和快速开关特性,适用于电源管理和 DC-DC 转换器等应用。
类型:肖特基二极管
最大正向电流:300 mA
峰值反向电压:30 V
正向压降(@ 300 mA):0.45 V(最大)
反向漏电流(@ 30 V):100 μA(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
安装类型:表面贴装
L1SS355T1G-A 肖特基二极管的主要特性之一是其低正向压降,通常在 0.45 V 以下,这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。由于肖特基二极管的金属-半导体结结构,它具有比传统硅二极管更快的开关速度,从而减少了开关损耗,适用于高频应用。
该器件的最大反向电压为 30V,能够承受一定范围的电压波动,适用于低压电源转换和保护电路。此外,其最大正向电流为 300mA,适用于中等电流负载的整流和隔离应用。
L1SS355T1G-A 采用 SOD-123 封装,具有较小的尺寸和轻量化设计,适合空间受限的电路板布局。其表面贴装封装也便于自动化生产和焊接工艺,提高了制造效率和可靠性。
该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,确保其在各种环境条件下都能稳定运行。这使其适用于工业控制、消费电子、通信设备和便携式电子产品等广泛应用场景。
此外,L1SS355T1G-A 的低反向漏电流(最大 100 μA)有助于减少不必要的电流损耗,提高系统的能效。这种特性对于电池供电设备和低功耗设计尤为重要。
L1SS355T1G-A 肖特基二极管广泛应用于多个电子领域。在电源管理电路中,它常用于 DC-DC 转换器和负载开关,以实现高效的能量转换和分配。由于其快速开关特性,该器件也适用于高频整流电路,如开关电源(SMPS)和逆变器。
在消费电子产品中,L1SS355T1G-A 可用于电池充电电路、便携式设备的电源管理系统以及 USB 接口的电流隔离。其低正向压降有助于延长电池寿命,提高设备的续航能力。
在工业控制和自动化系统中,该器件可用于继电器驱动、传感器电源调节以及电机控制电路中的反向电压保护。其高可靠性和宽温度范围使其在恶劣工业环境中也能稳定运行。
此外,L1SS355T1G-A 还可用于通信设备中的射频(RF)信号整流、电压检测和信号隔离等应用。其紧凑的封装设计也适合空间受限的通信模块和无线设备。
SS34、1N5819、B540C-13-F、MBR0530T1G