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IPP120N04S4-01 发布时间 时间:2025/5/23 9:46:39 查看 阅读:16

IPP120N04S4-01是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET,属于OptiMOS系列。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。其封装形式为TO-220-FP,适合高电流和高散热需求的场景。
  该MOSFET的主要特点包括低导通电阻(Rds(on)),快速开关性能以及较高的雪崩击穿能力,这些特性使得它在各种电力电子应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关时间:ton=9ns, toff=35ns
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IPP120N04S4-01具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,从而提升高频应用中的表现。
  3. 高雪崩击穿能力,增强器件在异常情况下的耐用性。
  4. 良好的热稳定性,能够承受高温工作环境,扩展了其应用范围。
  5. 封装形式为TO-220-FP,具备良好的散热性能,适合高功率应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

IPP120N04S4-01广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统
  由于其低导通电阻和快速开关特性,这款MOSFET非常适合需要高效功率转换的应用场合。

替代型号

IPP150N04S4-01, IPP100N04S4L-01

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IPP120N04S4-01参数

  • 数据列表IPx120N04S4-01
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 140µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs176nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大188W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3-1
  • 包装管件
  • 其它名称IPP120N04S401AKSA1SP000705704