时间：2025/8/24 12:09:42
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G20N120CN 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。这款器件具有较高的导通性能和较低的导通损耗，常用于电源转换器、电动机控制、UPS系统以及工业自动化设备中。该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，能够承受较高的工作温度。
型号：G20N120CN
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：20A
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
G20N120CN MOSFET具备多项高性能特性，适用于高要求的电力电子应用。
G20N120CN 的最大漏源电压为1200V，能够承受高电压应力，适用于高压电源转换系统。其漏极电流能力为20A，适合中高功率的负载切换应用。
该器件采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）典型值为0.35Ω，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，G20N120CN 的栅极-源极电压为±20V，提供了更宽的驱动范围，增强了器件的稳定性。
在热性能方面，G20N120CN 的最大功耗为200W，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。其工作温度范围从-55°C至+150°C，适用于各种严苛的环境条件。TO-247封装形式具备良好的散热能力，有助于提高器件的可靠性和寿命。
该MOSFET还具备较强的短路耐受能力和较高的雪崩能量承受能力，使其在突发故障条件下仍能保持较高的稳定性，减少损坏风险。
G20N120CN MOSFET 主要应用于需要高压和高电流处理能力的电力电子设备中。其高耐压特性使其非常适合用于高压电源转换器，如DC-DC变换器、AC-DC整流器和开关电源（SMPS）中。此外，G20N120CN 还广泛应用于工业自动化系统中的电机驱动和控制电路，提供高效的电力开关功能。
该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，作为主开关或旁路开关，以确保电力供应的连续性和稳定性。在新能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统中，G20N120CN 也可作为主控开关使用，实现高效的能量转换。
由于其良好的短路和过载保护能力，G20N120CN 还可用于电焊机、感应加热设备和高频电源等高要求的工业设备中，提供稳定的电力控制和切换功能。
IXGH20N120T、IXFH20N120、IXGN20N120T
