时间：2025/6/27 5:21:12
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D8PS100H是一款高压MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种高效率电力电子应用。
型号：D8PS100H
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-220
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：8A
栅极电荷：45nC
导通电阻（典型值）：30mΩ
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
D8PS100H采用了最新的功率MOSFET技术，具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（100V），能够承受较高的反向电压。
2. 极低的导通电阻（典型值为30mΩ），可降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并支持高频操作。
4. 良好的热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保，适合现代工业需求。
D8PS100H主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，如AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制电路，尤其是中小型电机应用。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 逆变器及不间断电源（UPS）系统的功率开关组件。
6. LED驱动电路和其他需要高效功率管理的应用场景。
D8P100H, IRF840, STP8NK100Z
