类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：40A
　　短路耐受能力：有
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　芯片技术：采用先进的沟道型IGBT芯片
　　二极管配置：集成反并联快速恢复二极管
　　绝缘耐压等级：符合IEC标准

SKM40GD125D具备优异的电气性能和热稳定性。其1200V的额定电压使其适用于多种中高压应用场景，40A的额定电流确保了在较高负载条件下的稳定运行。该模块采用了高效的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降和开关损耗，有助于提高系统效率并减少发热。集成的反并联二极管优化了续流路径，减少了外部元件的使用，提高了系统可靠性。
　　此外，SKM40GD125D采用双列直插式封装设计，安装方便，适合PCB板上的自动化装配。模块内部的热设计优化使其具备良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。该模块还具备良好的短路保护能力，增强了系统的安全性和耐用性。其工作温度范围宽达-40°C至+150°C，适应了各种恶劣的工作环境。
　　SEMIKRON在IGBT模块制造方面具有深厚的技术积累，SKM40GD125D作为其经典产品之一，广泛应用于工业控制、可再生能源系统、电动汽车等领域。

SKM40GD125D主要应用于需要高效能功率转换的设备中，如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及各类中高压电机控制设备。由于其优异的性能和可靠性，该模块也常用于需要长时间稳定运行的工业自动化系统和新能源发电系统中。

SKM40GB123D, SKM30GD123D, FF40R12KT4