类型：肖特基二极管
　　配置：双路二极管
　　最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：30 V
　　正向压降：最大0.35 V @ 10 mA（典型值0.28 V）
　　反向漏电流：最大100 nA @ 25°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

BAT54S(L44) 采用肖特基势垒结构，具有较低的正向压降，通常在10 mA条件下仅为0.28 V左右，显著低于普通硅二极管的0.7 V压降。这使得它在低电压、低功耗系统中具有明显优势，能够减少能量损耗并提高系统效率。此外，BAT54S具有快速开关特性，其反向恢复时间极短，适用于高频应用，如信号整流、逻辑电平钳位、电压检测等。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。由于其高可靠性与优良的热稳定性，BAT54S(L44) 可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。
　　BAT54S内部集成两个独立的肖特基二极管，共享阴极或阳极配置，允许设计者灵活地用于不同电路结构，例如用于输入保护、反向电流阻断、ORing电路等。此外，其低漏电流特性使其在待机或低功耗模式下也能保持良好性能。

BAT54S(L44) 广泛应用于各类电子设备中，包括电源管理模块、电池供电设备、便携式电子产品、接口保护电路、信号整流与钳位电路等。在USB接口电路中，BAT54S可用于防止反向电流流动，保护主控芯片；在低功耗微控制器系统中，可用作电压检测或逻辑电平转换；在通信设备中，则常用于信号整流、RF检测和偏置电路。
　　此外，BAT54S还可用于电池备份系统中的“OR”电路，将主电池与备用电池隔离，确保系统在主电源失效时能自动切换至备用电源。其低正向压降特性也使其在太阳能充电、低功耗传感器节点等应用中表现优异。

1N5819WS, BAT54C, BAT54A, 1N5711, RB751V-40