时间：2025/8/13 4:59:39
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L1RB521S30T1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管被设计用于高频和低噪声放大应用，具备良好的线性性能和稳定的工作特性。L1RB521S30T1G 采用SOT-23封装，适用于便携式电子设备、射频放大器、低噪声前置放大器以及无线通信系统中的信号处理电路。
类型：NPN双极性晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
最大工作频率（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
工作温度范围：-55°C至+150°C
噪声系数（NF）：1dB（典型值）
L1RB521S30T1G 以其低噪声、高频率响应和优良的线性放大特性而著称。该晶体管在高频条件下仍能保持稳定的增益表现，适用于需要高线性度的信号放大应用。其SOT-23封装形式便于表面贴装，适用于小型化和轻量化电子产品设计。此外，L1RB521S30T1G 还具有良好的温度稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作。其hFE参数具有多个档位选择，使得设计人员可以根据具体应用需求选择合适的晶体管型号，从而优化电路性能。该晶体管还具备较低的输入输出电容，有助于减少高频信号的损耗。
L1RB521S30T1G 主要用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，广泛应用于无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi模块、低噪声前置放大器、音频放大器、传感器信号调理电路以及消费类电子产品的信号处理模块。其低噪声特性也使其在音频放大、无线接收前端和高精度测量仪器中具有广泛的应用。
BC847系列、2N3904、BFQ59、MMBT3904、2N4401
