时间：2025/5/13 11:45:55
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SAFFB2G60AA0F0AR15 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高效能功率 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。该型号主要设计用于要求高效率和低导通电阻的应用场景。其出色的电气性能使其成为电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他开关应用的理想选择。
该芯片具有极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。同时，其快速的开关特性和良好的热性能也使其能够在紧凑的设计中表现出色。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-247
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：3.2mΩ
Id（连续漏极电流）：190A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：85nC
EAS（雪崩能量）：15J
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SAFFB2G60AA0F0AR15 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适合现代高效的电源转换应用。
3. 高电流承载能力，最大可支持 190A 的连续漏极电流。
4. 具备良好的热稳定性和耐用性，适用于高温环境下的长时间运行。
5. 内置 ESD 保护，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种需要高性能功率开关的场合，例如：
1. 工业电机驱动和逆变器。
2. 电信和服务器电源中的 DC-DC 转换器。
3. 不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器。
4. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的牵引逆变器。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 大功率 LED 驱动器和其他需要高效功率管理的场景。
SAFFB2G60AA0F0AR10, SAFFB2G60AA0F0AR20
