L15ESD24VE2 时间：2025/6/4 11:15:02 阅读：24

L15ESD24VE2是一种基于硅技术的低电容双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据线路提供卓越的静电放电（ESD）保护和电气过应力（EOS）防护而设计。该器件具有超低的负载电容特性，使其非常适合高速信号应用，例如USB 3.0、HDMI、以太网等接口。
　　此TVS二极管采用小尺寸封装，能够有效节省PCB空间，并且符合RoHS标准，确保环境友好性。通过AEC-Q101认证，L15ESD24VE2也适用于汽车级应用。

参数

工作电压：24V
　　峰值脉冲电流：15A
　　击穿电压：27V
　　最大箝位电压：40.8V
　　负载电容：0.6pF
　　响应时间：1ps
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

L15ESD24VE2具备以下关键特性：
　　1. 超低负载电容，仅为0.6pF，可确保高速信号完整性。
　　2. 快速响应时间（1ps），能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
　　3. 高峰值脉冲电流承受能力（15A），增强对ESD事件的防护效果。
　　4. 小型化DFN1006-2封装，节省电路板空间。
　　5. 符合IEC 61000-4-2（±30kV接触放电/±30kV空气放电）标准，提供强大的ESD保护性能。
　　6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
　　7. AEC-Q101认证，支持汽车电子系统应用需求。

应用

L15ESD24VE2广泛应用于需要高速信号传输和高可靠性保护的场景，包括但不限于：
　　1. 消费类电子产品中的高速数据接口保护，如USB 3.0、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt等。
　　2. 汽车电子系统中的控制单元和通信总线保护，例如CAN总线、LIN总线及车载娱乐系统。
　　3. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
　　4. 通信网络设备中的光纤收发器和射频模块保护。
　　5. 移动设备中的摄像头模组和触摸屏控制器保护。
　　由于其低电容特性和高性能ESD防护能力，该器件在高速信号链路中表现尤为突出。