L15ESD24VE2是一种基于硅技术的低电容双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,专为高速数据线路提供卓越的静电放电(ESD)保护和电气过应力(EOS)防护而设计。该器件具有超低的负载电容特性,使其非常适合高速信号应用,例如USB 3.0、HDMI、以太网等接口。
此TVS二极管采用小尺寸封装,能够有效节省PCB空间,并且符合RoHS标准,确保环境友好性。通过AEC-Q101认证,L15ESD24VE2也适用于汽车级应用。
工作电压:24V
峰值脉冲电流:15A
击穿电压:27V
最大箝位电压:40.8V
负载电容:0.6pF
响应时间:1ps
工作温度范围:-55℃至+150℃
L15ESD24VE2具备以下关键特性:
1. 超低负载电容,仅为0.6pF,可确保高速信号完整性。
2. 快速响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高峰值脉冲电流承受能力(15A),增强对ESD事件的防护效果。
4. 小型化DFN1006-2封装,节省电路板空间。
5. 符合IEC 61000-4-2(±30kV接触放电/±30kV空气放电)标准,提供强大的ESD保护性能。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
7. AEC-Q101认证,支持汽车电子系统应用需求。
L15ESD24VE2广泛应用于需要高速信号传输和高可靠性保护的场景,包括但不限于:
1. 消费类电子产品中的高速数据接口保护,如USB 3.0、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt等。
2. 汽车电子系统中的控制单元和通信总线保护,例如CAN总线、LIN总线及车载娱乐系统。
3. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
4. 通信网络设备中的光纤收发器和射频模块保护。
5. 移动设备中的摄像头模组和触摸屏控制器保护。
由于其低电容特性和高性能ESD防护能力,该器件在高速信号链路中表现尤为突出。
L15ESD24VE2-SOT、SM15ESD24VE2、PESD5V0R1BAB