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IRFR420ATRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 8:42:54 查看 阅读:2

IRFR420ATRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  该 MOSFET 的主要功能是作为电子开关或放大器使用,能够在高频条件下实现高效的功率传输和控制。其坚固的设计使其能够承受较高的电压和电流负载,同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:500V
  最大连续漏极电流:1.8A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值,在 VGS=10V 时):1.9Ω
  总功耗:17W
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRFR420ATRPBF 具有以下显著特性:
  1. 高电压耐受能力,额定电压高达 500V,适合高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻设计,典型值为 1.9Ω,有助于降低传导损耗。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,从而减少开关损耗。
  4. 紧凑的 TO-263 封装形式,便于散热和安装。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

IRFR420ATRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制电路,用于家用电器和工业设备。
  3. 荧光灯和 HID 灯电子镇流器。
  4. PFC(功率因数校正)电路中的升压开关。
  5. 各种电池充电器及便携式设备的电源管理。
  6. 继电器替代方案,提供更高效、更长寿命的解决方案。

替代型号

IRF420PBF, IRFR420S

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IRFR420ATRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)