TFS800A是一款高性能的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,适合需要高效能和高可靠性的应用环境。
这款MOSFET在设计时特别注重降低功耗并提升整体效率,因此非常适合对能源管理要求较高的系统。
型号:TFS800A
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-220
最大漏源电压Vds:800V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:4A
脉冲漏极电流I pulsed:16A
导通电阻Rds(on)(在Vgs=10V时):5.5Ω
总功耗Ptot:175W
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压能力:其800V的最大漏源电压使其适用于高压应用场景,例如工业设备中的开关电源。
2. 低导通电阻:在标准工作条件下,其导通电阻仅为5.5Ω,从而减少了传导损耗。
3. 快速开关性能:由于优化了内部结构,该器件具备极快的开关速度,有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性:通过改进的散热设计和高温工作能力,即使在极端环境下也能保持稳定运行。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保长期使用的稳定性与安全性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 汽车电子中的各类高压切换功能。
6. 电池管理系统中的保护电路组件。
7. 各类需要高压大电流处理能力的电力电子设备。
TFS800B, IRF840, STW80NM4