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L100NH3LL 发布时间 时间:2025/7/22 12:47:20 查看 阅读:8

L100NH3LL 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于需要高效能和高可靠性的功率应用,如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。L100NH3LL的设计旨在提供低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,使其能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):110A(在Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):最大值为3.3mΩ(典型值为2.8mΩ)
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

L100NH3LL 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这种低RDS(on)特性还减少了热量的产生,从而提高了整体系统的可靠性和稳定性。
  该器件具备高耐压能力,漏源电压(VDS)可达100V,使其适用于多种中高压功率转换应用。栅源电压额定值为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,便于与常见的PWM控制器或微处理器接口。
  此外,L100NH3LL采用了TO-220FP封装,这种封装不仅具有良好的热管理性能,而且便于安装在散热片上,从而进一步提高散热效率。TO-220FP是一种常见的功率封装形式,广泛应用于工业和汽车电子领域。
  该MOSFET的工作温度范围较宽,从-55℃到175℃,使其能够在极端环境条件下正常运行,适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。L100NH3LL 还具备快速开关能力,减少了开关损耗,从而进一步提高了系统的效率。
  安全性方面,L100NH3LL 具有良好的短路耐受能力,可以在短时间内承受较高的电流冲击而不会损坏。这种特性使其在电机控制、负载开关等可能遇到瞬态过载的应用中表现出色。

应用

L100NH3LL 广泛应用于各种需要高效率、高可靠性的功率系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。
  在开关电源中,L100NH3LL 可作为主开关或同步整流器使用,因其低导通电阻和高开关速度,能够显著提高电源转换效率并减少热量产生。
  在电机控制应用中,该MOSFET可用于H桥驱动电路,控制直流电机或步进电机的转向和速度,其高耐压和大电流能力使其适用于高功率电机控制。
  在电池管理系统中,L100NH3LL 可用于电池充放电控制开关,其低导通损耗和高可靠性有助于延长电池寿命并提高系统效率。
  此外,该器件也可用于各种工业和汽车电子系统中的负载开关控制,如照明系统、加热元件控制、电动工具等应用场景。

替代型号

STP110N10F7, IPW90R120I-1K, FDP100N10

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