FCPF9N60NT 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 河道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景中。其高击穿电压和低导通电阻特性使其成为高效能应用的理想选择。
该芯片的核心设计目标是提供卓越的电气性能和可靠性,同时支持紧凑型电路板布局需求。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:0.94A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻(典型值):1350Ω
总功耗:0.8W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252
FCPF9N60NT 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:能够承受高达 600V 的漏源电压,适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻:在特定条件下,导通电阻仅为 1350Ω(典型值),从而减少传导损耗。
3. 快速开关能力:优化的内部结构确保了快速开关速度,有助于提高效率并降低电磁干扰。
4. 紧凑型封装:TO-252 封装设计节省空间,便于 PCB 布局。
5. 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下稳定运行,从 -55℃ 到 +150℃,满足工业及汽车领域的需求。
6. 可靠性高:经过严格的测试和筛选流程,确保长期使用的稳定性。
FCPF9N60NT 适用于多种电力电子应用场景:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,用于提高转换效率。
2. DC-DC 转换器:在降压或升压拓扑中充当功率开关。
3. 电机驱动:控制直流无刷电机或其他小型电机的运行状态。
4. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换。
5. 保护电路:实现过流保护、短路保护等功能。
6. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器 (PLC) 和继电器驱动等。
FFPF9N60, FDPF9N60, STP9NK60Z