时间：2025/5/30 18:41:01
阅读：29
CDR31BX153AKZSAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备出色的开关特性和热性能，广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
其封装形式通常为表面贴装类型，能够满足高密度设计需求，同时提供卓越的电气性能和可靠性。
型号：CDR31BX153AKZSAT
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.8mΩ
Id（持续漏极电流）：140A
Ptot（总功耗）：230W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-268-3
CDR31BX153AKZSAT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达140A的连续漏极电流。
3. 出色的热性能，有助于在高功率应用中保持稳定运行。
4. 快速开关速度，减少开关损耗并提高工作频率。
5. 良好的抗静电能力 (ESD)，增强器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合多种工业用途。
这些特点使 CDR31BX153AKZSAT 成为众多大功率应用的理想选择。
CDR31BX153AKZSAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 汽车电子系统中的高电流控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率转换部分。
由于其高效率和强大性能，这款功率MOSFET非常适合对能耗敏感或要求高可靠性的场合。
CDR31BX153AKZS, IRF1404, FDP158N06L
