时间：2025/12/25 20:57:13
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HMC273AMS10GE是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的高性能、高线性度的GaAs（砷化镓）MMIC（单片微波集成电路）无源倍频器芯片，专为毫米波和微波频率应用设计。该器件采用先进的InGaP/GaAs HBT工艺制造，工作频率范围覆盖了射频前端系统中常见的高频段，适用于需要将输入信号精确倍频输出的应用场景。HMC273AMS10GE封装在紧凑的MS-10陶瓷表面贴装封装中，具有良好的热稳定性和高频性能表现，适合集成于通信系统、雷达模块、测试仪器以及宽带无线基础设施中。
该倍频器的主要功能是将输入的射频（RF）信号进行二倍频处理，输出频率为输入频率两倍的信号，同时具备较低的谐波失真和出色的相位噪声性能。其内部结构经过优化设计，无需外部驱动放大器即可直接连接本振（LO）源或前级电路，简化了系统设计复杂度。此外，HMC273AMS10GE提供固定的直流偏置配置，用户只需提供适当的电源电压和接地即可实现稳定工作，极大提升了使用的便捷性与可靠性。
HMC273AMS10GE因其卓越的高频性能和稳定性，广泛应用于点对点微波通信、卫星通信下行链路转换、军用电子战系统及毫米波成像等领域。作为一款成熟的商用毫米波组件，它也常被用于研发实验室中的原型验证平台和高频信号发生器构建。由于其优异的互调特性与宽频带操作能力，该器件在对抗干扰和多信号环境下的表现尤为突出。
类型：无源倍频器
工艺技术：GaAs MMIC
封装类型：MS-10
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
输入频率范围：10 GHz 至 14 GHz
输出频率范围：20 GHz 至 28 GHz
本振驱动电平：+13 dBm 典型值
变频损耗：典型值 7.5 dB
输入回波损耗：>15 dB
输出回波损耗：>15 dB
二次谐波抑制：>20 dBc
四次谐波抑制：>30 dBc
供电电压：无需主电源（被动式结构），但需偏置电路支持
HMC273AMS10GE具备卓越的高频倍频性能，能够在10 GHz至14 GHz的输入频率范围内稳定地生成20 GHz至28 GHz的输出信号，适用于毫米波通信和雷达系统的本地振荡链路设计。该器件采用GaAs MMIC技术，不仅保证了高频工作的稳定性，还提供了良好的功率处理能力和热管理性能。其核心优势在于无需外部有源放大即可完成高效倍频操作，这得益于内部精心设计的非线性二极管网络结构，能够在较低驱动功率下实现高效率的二倍频转换。
该芯片具有优异的谐波抑制能力，尤其是对四次谐波的抑制可达30 dBc以上，有效减少了后续滤波器的设计压力，提高了整个射频链路的信噪比和频谱纯净度。同时，输入和输出端口均实现了良好的阻抗匹配（回波损耗优于15 dB），降低了信号反射带来的驻波效应，确保系统在宽带范围内保持一致的传输特性。这种宽带匹配设计使其能够适应多种不同频段的应用需求，而无需重新定制匹配网络。
另一个关键特性是其低变频损耗，典型值仅为7.5 dB，相较于传统倍频方案显著提升了整体链路增益预算。尽管属于无源器件，但仍需配合简单的直流偏置电路以激活内部非线性元件，但整体功耗极低，非常适合对功耗敏感的便携式或远程部署系统。此外，MS-10陶瓷封装提供了优良的机械强度和高频隔离性能，能够在严苛环境中长期可靠运行。
该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用标准要求，适用于户外基站、航空航天电子设备等应用场景。其小型化封装形式也有利于高密度PCB布局，便于与其他微波组件如混频器、放大器和滤波器集成在同一模块内，形成完整的毫米波前端子系统。综合来看，HMC273AMS10GE是一款高性能、高集成度的毫米波倍频解决方案，适用于追求高线性度、低噪声和宽带操作的专业级射频系统设计。
HMC273AMS10GE广泛应用于毫米波通信系统，包括点对点微波回传链路、5G毫米波基站的本振生成模块以及卫星通信中的上下变频单元。在雷达系统中，该器件可用于生成高频发射信号或为接收机提供稳定的本振输入，尤其适用于相控阵雷达和汽车毫米波雷达的研发与生产。此外，在电子战（EW）和信号情报（SIGINT）系统中，HMC273AMS10GE可作为宽带频率合成路径的一部分，用于快速跳频和多频段侦测。测试与测量设备如矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器也常采用该倍频器来扩展仪器的高频覆盖范围。科研机构和高校实验室则利用其稳定的倍频特性进行毫米波器件表征和新材料研究。其高可靠性和一致性使其成为工业自动化、远程传感和安全成像系统中的理想选择。
HMC272AMS10GE
