类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）阵列
　　封装形式：SOT-23-6
　　通道数：1路
　　反向工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：5.6V（最小值）
　　最大钳位电压（VC）：13.3V（在IEC 61000-4-2 Level 4测试条件下）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：16A
　　响应时间：小于1ns
　　漏电流（IR）：最大100nA @ VRWM
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：无铅、符合RoHS标准

L05ESDU5V0CE2-TR具有多项优异的电气和机械特性，确保其在严苛环境中稳定工作。
　　首先，该器件具备非常低的反向漏电流，确保在正常工作电压下不会对系统造成额外的功耗或干扰。
　　其次，其响应时间低于1ns，能够在瞬态事件发生的瞬间迅速启动保护机制，防止高能脉冲对下游电路造成损害。
　　此外，L05ESDU5V0CE2-TR采用紧凑的SOT-23-6封装，节省PCB空间，适用于便携式电子设备和高密度电路设计。
　　该器件通过IEC 61000-4-2 Level 4静电放电抗扰度测试，可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电，适用于工业和消费类电子产品的高要求防护等级。
　　其低钳位电压特性确保在发生ESD事件时，传输到被保护器件的电压保持在安全范围内，从而提升系统整体的可靠性和寿命。

L05ESDU5V0CE2-TR广泛应用于需要高精度静电防护的电子设备中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB接口设备、HDMI端口保护、以太网接口、传感器模块、工业控制系统、汽车电子模块以及通信设备等。其紧凑的封装和卓越的保护性能使其成为各类便携式和高密度电子产品中理想的ESD保护解决方案。

L05ESD4V3BA2-TR, L05ESD5V0C2-TR, ESD5V0W2BDS-TR