KU10S31N 时间：2025/8/21 9:12:42 阅读：15

KU10S31N是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用N沟道结构，具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等多种电子系统。KU10S31N以其高性能和可靠性成为工业设备、汽车电子和消费类电子产品中常见的功率器件之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：30A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220

特性

KU10S31N MOSFET具备多项优异的电气和物理特性，确保其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率，这对于高功率应用尤为重要。其次，该器件具有较高的最大漏极电流能力，支持在高负载条件下稳定工作。此外，KU10S31N采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体能效。
　　在热管理方面，KU10S31N的封装设计有助于快速散热，确保在高功率操作下保持较低的工作温度。这种良好的热稳定性不仅提高了器件的可靠性，也延长了使用寿命。同时，该器件的工作温度范围广泛，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业和汽车等严苛应用场景。
　　此外，KU10S31N的栅极阈值电压范围适中，确保在不同驱动电路条件下都能实现良好的开关控制。其TO-220封装形式便于安装和散热片连接，适合多种电路设计需求。总的来说，KU10S31N是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，广泛适用于各类中高功率电子系统。

应用

KU10S31N广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器：用于高效能的电压转换，提高电源效率。
　　2. 电机驱动和控制电路：支持高电流负载的切换和调节，适用于自动化设备和电动工具。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路。
　　4. 汽车电子：如车载逆变器、LED照明驱动和车身控制模块。
　　5. 工业自动化和控制设备：如变频器、伺服驱动器和电源分配系统。