时间：2025/4/29 15:20:21
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SI9934DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合用于高频、高效率的应用场景。其小型化的封装设计（TSOP6）使其非常适合空间受限的设计环境。
这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备、计算机外设以及工业控制等领域中的负载开关、DC/DC 转换器、电机驱动和电池保护电路等应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：1040pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI9934DY-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 1.5mΩ，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高效的开关性能，栅极电荷仅为 19nC，适用于高频应用场景。
3. 具备出色的热稳定性，能够在高达 175℃ 的结温下正常工作。
4. 小巧的 TSOP6 封装，节省 PCB 空间，适合便携式设备和高密度设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该芯片的应用领域非常广泛，主要包括以下几个方面：
1. 笔记本电脑及平板电脑中的负载开关和电源管理。
2. 高效 DC/DC 转换器中的同步整流。
3. 手机和其他移动设备中的电池保护和充电管理。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
5. 通信基站和服务器中的电源模块设计。
SI9934AL-T1-E3, SIH9934DN-E3
