时间：2025/9/14 8:05:48
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PMPB10XNE,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 工艺，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于各种高效能电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：9.7A
导通电阻(Rds(on))：最大值0.0145Ω @ Vgs=10V
功耗(Pd)：30W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
PMPB10XNE,115 具备多项优异特性，首先其导通电阻非常低，典型值为 0.0145Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
其次，该器件支持高达 9.7A 的连续漏极电流，适合用于高电流负载的应用场景。
此外，PMPB10XNE,115 的栅极驱动电压范围宽，支持 10V 栅压驱动，确保其在不同驱动条件下都能实现良好的导通性能。
该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
其最大功耗为 30W，能够在较宽的工作温度范围内稳定工作（-55°C 至 +175°C），适应工业级和汽车级应用的需求。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。
PMPB10XNE,115 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器；
2. 电池管理系统（BMS）：用于控制高电流充放电路径；
3. 电机驱动和负载开关：作为高侧或低侧开关使用；
4. 工业自动化设备：用于继电器替代、PLC 输出控制等；
5. 汽车电子系统：如车载充电器、DC-DC 转换器和电动助力转向系统（EPS）等；
6. LED 照明驱动：用于高效率恒流电源设计。
IPB10N06N G, STP9NK60Z, FQP10N60C
