时间：2025/9/12 13:23:04
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KTK5162S 是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的平面条形FET技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.028Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：32W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
KTK5162S MOSFET具备低导通电阻特性，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其先进的平面条形结构设计确保了良好的热稳定性和电流承载能力，同时具备出色的抗雪崩能力和可靠性，适用于高应力环境。此外，该器件的栅极设计支持快速开关操作，减少开关损耗，适合高频应用场合。
该MOSFET的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适合在多种电源应用中使用。其高耐压特性和强大的电流处理能力使其在电源转换和电机控制应用中表现出色，同时也具备良好的抗过载和短路保护能力。
KTK5162S 常用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关、电机驱动电路、电池充电器和工业自动化控制系统。其高效率和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计的理想选择。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDP6N60
