时间：2025/11/8 7:21:00
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2SAR553PFRAT100是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件采用先进的平面型结构制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其额定重复峰值反向电压（VRRM）为30V，最大平均整流电流（IF(AV)）可达5A，能够满足多种中低电压直流-直流转换器、开关电源以及续流与防反接保护电路的需求。该二极管封装在紧凑的PFM（Power Flat Miniature）小型表面贴装封装中，尺寸仅为约2.0mm × 1.6mm × 0.75mm，非常适合空间受限的便携式电子设备设计。此外，2SAR553PFRAT100符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，在工业控制、消费类电子产品及通信设备中广泛应用。
型号：2SAR553PFRAT100
类型：肖特基势垒二极管
封装形式：PFM
最大重复峰值反向电压 VRRM：30V
最大直流阻断电压 VR：30V
最大平均整流电流 IF(AV)：5A
峰值非重复浪涌电流 IFSM：40A
最大正向电压降 VF @ IF=5A：0.57V（典型值）
最大反向漏电流 IR @ VR=30V, Ta=25°C：0.1μA
工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
热阻抗 Rth(j-a)：50°C/W（近似值）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：2
极性：单二极管
湿度敏感等级（MSL）：1级（车间寿命 >12小时）
2SAR553PFRAT100的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合，能够在高频率开关环境中实现高效的能量传输。首先，该器件采用了ROHM专有的低VF工艺技术，使得在额定工作电流下正向压降显著降低，典型值仅为0.57V（@ IF=5A），这不仅减少了导通损耗，还提升了整体系统的能效表现，特别适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。
其次，由于肖特基势垒结构本身的载流子注入机制不同于传统的PN结二极管，因此它具备极快的反向恢复速度（trr < 10ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），从而有效抑制了开关过程中的电压振荡和电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性并简化了外围滤波电路的设计。
再者，该器件具备高达40A的峰值非重复浪涌电流承受能力，表明其在面对瞬态过流事件（如开机冲击或负载突变）时仍能保持可靠运行。同时，宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其可在恶劣环境条件下稳定工作，适用于汽车电子、工业自动化等要求严苛的应用领域。
此外，PFM封装采用铜合金引线框架和先进 molding 工艺，具备优良的散热性能和机械强度，有助于将芯片产生的热量迅速传导至PCB板上，进一步提升功率密度和长期使用的可靠性。整体而言，2SAR553PFRAT100是一款集高效、小型化与高可靠性于一体的高性能肖特基二极管，非常适合现代高集成度电源模块的设计需求。
2SAR553PFRAT100广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低压大电流输出拓扑（如同步整流Buck变换器）中作为辅助整流元件；DC-DC转换器中用于防止电流倒灌的续流二极管或防反接保护电路；便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）的电源管理单元中，用于提高电池使用效率；笔记本电脑适配器、LED驱动电源以及USB PD充电器等高能效电源装置中也常采用此类低VF肖特基二极管以减少发热并提升转换效率。
在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电回路及电机驱动电路中的箝位与保护功能。此外，因其具备良好的高温稳定性和抗浪涌能力，也可用于汽车电子系统中的车载充电器（OBC）、车身控制模块或辅助电源单元，满足AEC-Q101等车规级可靠性要求（尽管本型号未明确标注为车规级，但其电气与热特性接近相关标准）。总之，凡是在低压、高频、高效率电源转换中有整流、隔离、保护需求的场合，2SAR553PFRAT100均是一个极具竞争力的选择。
RB553PM-40TE25
SB530ALT3G
MBR530T1G
SS54-F
