类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：60A（连续）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻 RDS(on)：典型值为 0.018Ω（最大值 0.024Ω）@ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：110nC（典型）
　　封装形式：TO-262 或 TO-220

FQP60N10 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，这使其在高功率应用中具有出色的效率表现。该器件采用了先进的平面技术，具备良好的热稳定性和高耐用性。由于其低导通损耗，FQP60N10 可以显著减少系统发热，提高整体能效。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高系统的功率密度。FQP60N10还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态条件下提供更好的稳定性和可靠性。
　　其封装形式（如TO-220或TO-262）提供了良好的散热性能，适合直接安装在PCB上进行自然冷却或配合散热片使用。该器件的引脚排列标准化，便于替换和系统集成。
　　在电气特性方面，FQP60N10的栅极驱动电压范围宽泛，支持10V或12V驱动，兼容多种栅极驱动IC，便于设计和应用。

FQP60N10 主要用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关器件，用于实现高效能的能量转换
　　? DC-DC转换器中的同步整流器，提高效率并降低损耗
　　? 电机驱动电路中的H桥结构，用于直流电机或步进电机的控制
　　? 负载开关，用于电源管理或电池供电设备中的电源通断控制
　　? UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能逆变系统中的功率开关
　　? LED驱动器、汽车电子系统以及工业自动化设备中的功率控制部分

IRF60N10、FDP60N10、STP60N10、SiHF60N10、FQP60N10L、FQP60N10TM