KTK5132S-RTK/P 时间：2025/9/12 14:51:13 阅读：6

KTK5132S-RTK/P是一款由Kec Corporation生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件设计用于高效率、低功耗的开关应用，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等多种电子电路。KTK5132S-RTK/P以其高可靠性和稳定性著称，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。该MOSFET具有较低的导通电阻、较高的电流承载能力和优异的热稳定性，适合在高温和高负载环境下工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　最大功耗(Pd)：100W
　　漏极电容(Coss)：980pF（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：48nC（典型值）

特性

KTK5132S-RTK/P MOSFET具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻Rds(on)，仅为3.2mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗非常低，有助于提高系统效率。其次，该器件能够承受高达100A的连续漏极电流，具有非常强的电流处理能力，适用于高功率密度的设计。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，提高了器件的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间稳定运行。KTK5132S-RTK/P的栅极电荷Qg较低，为48nC，这使得其在高频开关应用中具有更快的开关速度，从而减少了开关损耗。该器件的漏极电容Coss为980pF，有助于减小高频工作时的噪声干扰。TO-252（DPAK）封装形式便于安装和散热，适用于表面贴装工艺，提升了生产效率和整体可靠性。

应用

KTK5132S-RTK/P MOSFET广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它可用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统。在电机控制领域，该器件能够作为H桥电路中的开关元件，实现高效、稳定的电机驱动。此外，KTK5132S-RTK/P也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车的电源控制系统。其高可靠性和优异的热性能也使其成为汽车电子系统中的理想选择，如车载充电器、电动助力转向系统等。在消费电子产品中，该MOSFET可用于电源适配器、移动电源、智能家电等设备的电源管理模块。