BSL316CH6327XTSA1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关速度,适用于各种高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:31.6A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:435pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:TO-263 (D2PAK)
BSL316CH6327XTSA1 具有低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,该器件还具备快速开关能力,使其非常适合高频应用。同时,它采用了坚固的设计,能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
具体特性如下:
- 低导通电阻:仅 1.8mΩ,可有效降低功耗。
- 快速开关特性:极低的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗最小化。
- 高电流处理能力:支持高达 31.6A 的连续漏极电流。
- 高温操作:支持最高 175℃ 的结温,适应高温环境下的使用需求。
- 良好的热性能:采用 TO-263 封装,提供出色的散热表现。
- 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保长期使用的稳定性。
BSL316CH6327XTSA1 广泛应用于需要高效功率管理的场景中,包括但不限于以下领域:
- 开关电源(SMPS)设计中的功率级元件。
- DC/DC 转换器中的同步整流开关。
- 电机驱动电路中的功率开关。
- 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
- 工业自动化设备中的功率控制模块。
- 汽车电子系统的功率管理单元。
由于其优异的电气特性和可靠性,该器件特别适合于对效率和散热性能要求较高的场合。
BSL316G, BUK7Y1R8-60E, IRFZ44N