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BSL316CH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/4/30 20:18:20 查看 阅读:3

BSL316CH6327XTSA1 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关速度,适用于各种高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够提供良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31.6A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:435pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263 (D2PAK)

特性

BSL316CH6327XTSA1 具有低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,该器件还具备快速开关能力,使其非常适合高频应用。同时,它采用了坚固的设计,能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能。
  具体特性如下:
  - 低导通电阻:仅 1.8mΩ,可有效降低功耗。
  - 快速开关特性:极低的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗最小化。
  - 高电流处理能力:支持高达 31.6A 的连续漏极电流。
  - 高温操作:支持最高 175℃ 的结温,适应高温环境下的使用需求。
  - 良好的热性能:采用 TO-263 封装,提供出色的散热表现。
  - 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保长期使用的稳定性。

应用

BSL316CH6327XTSA1 广泛应用于需要高效功率管理的场景中,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)设计中的功率级元件。
  - DC/DC 转换器中的同步整流开关。
  - 电机驱动电路中的功率开关。
  - 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  - 工业自动化设备中的功率控制模块。
  - 汽车电子系统的功率管理单元。
  由于其优异的电气特性和可靠性,该器件特别适合于对效率和散热性能要求较高的场合。

替代型号

BSL316G, BUK7Y1R8-60E, IRFZ44N

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BSL316CH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.69000剪切带(CT)3,000 : ¥1.65483卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.4A,1.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 3.7μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)282pF @ 15V
  • 功率 - 最大值500mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装PG-TSOP6-6